CPDF5V0-HF是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件采用先进的制程技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提高系统效率并降低能耗。其额定电压为50V,适用于多种中低压应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:50V
额定电流:30A
导通电阻:4mΩ(典型值)
栅极电荷:15nC(最大值)
开关速度:快速
封装形式:TO-220, TO-247
工作温度范围:-55℃至+175℃
CPDF5V0-HF的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少导通损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,有助于降低开关损耗并支持高频应用。
3. 良好的热稳定性,能够在较高的结温下可靠运行。
4. 内置ESD保护功能,提高了器件在严苛环境下的抗干扰能力。
5. 支持大电流输出,适合用于需要高功率密度的应用场景。
6. 提供多种标准封装选项,便于设计者根据具体需求进行选择。
CPDF5V0-HF适用于广泛的电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件,如无刷直流电机(BL 各类DC-DC转换器,例如降压、升压或反激式变换器。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理单元。
6. 其他需要高效功率转换和控制的场合。
CPDF5V0-G, IRF540N, FDP5580