IS42VM16800H-75BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM芯片,属于异步SRAM兼容的DRAM产品。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要大容量存储和高速数据存取的应用场景。
类型:DRAM
容量:128Mbit(16MB)
组织结构:x16位
工作电压:3.3V
访问时间:7.5ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
工作模式:异步
封装尺寸:54-TSOP
IS42VM16800H-75BLI 以其高速访问时间和低功耗设计著称,适合在对存储性能要求较高的系统中使用。该芯片采用异步工作模式,可以与多种主控器配合使用,无需时钟同步控制,简化了电路设计。此外,该芯片支持CMOS兼容的输入/输出电平,具有较强的抗干扰能力和稳定性。
该芯片的异步控制信号(如CE#、OE#、WE#)使其能够灵活地集成到各种嵌入式系统中,适用于需要快速读写和低功耗的应用。其TSOP封装设计不仅减小了PCB空间占用,也提高了高频下的信号完整性。
此外,IS42VM16800H-75BLI 支持自动省电模式,在未被访问时可降低功耗,延长系统电池寿命,适合便携式设备和低功耗应用场景。
IS42VM16800H-75BLI 主要用于需要大容量、高速存储的嵌入式系统,如网络设备、工业控制系统、通信模块、图像处理设备、测试仪器以及消费类电子产品中的缓存存储。由于其异步接口设计,它常被用于替代SRAM以降低成本并提供更大容量。
该芯片广泛应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合,例如视频采集卡、高速数据采集系统、嵌入式控制器缓存、打印机缓冲器、图像处理设备和工业自动化系统等。此外,该芯片也可用于需要与微控制器或FPGA配合使用的场合,提供高效的数据缓存支持。
IS42VM16800A-75BLL, IS42VM16800G-75BLL, CY62167EVLL-70BZI-S2