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IS42VM16800H-75BLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:55:12 查看 阅读:17

IS42VM16800H-75BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM芯片,属于异步SRAM兼容的DRAM产品。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要大容量存储和高速数据存取的应用场景。

参数

类型:DRAM
  容量:128Mbit(16MB)
  组织结构:x16位
  工作电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工作模式:异步
  封装尺寸:54-TSOP

特性

IS42VM16800H-75BLI 以其高速访问时间和低功耗设计著称,适合在对存储性能要求较高的系统中使用。该芯片采用异步工作模式,可以与多种主控器配合使用,无需时钟同步控制,简化了电路设计。此外,该芯片支持CMOS兼容的输入/输出电平,具有较强的抗干扰能力和稳定性。
  该芯片的异步控制信号(如CE#、OE#、WE#)使其能够灵活地集成到各种嵌入式系统中,适用于需要快速读写和低功耗的应用。其TSOP封装设计不仅减小了PCB空间占用,也提高了高频下的信号完整性。
  此外,IS42VM16800H-75BLI 支持自动省电模式,在未被访问时可降低功耗,延长系统电池寿命,适合便携式设备和低功耗应用场景。

应用

IS42VM16800H-75BLI 主要用于需要大容量、高速存储的嵌入式系统,如网络设备、工业控制系统、通信模块、图像处理设备、测试仪器以及消费类电子产品中的缓存存储。由于其异步接口设计,它常被用于替代SRAM以降低成本并提供更大容量。
  该芯片广泛应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合,例如视频采集卡、高速数据采集系统、嵌入式控制器缓存、打印机缓冲器、图像处理设备和工业自动化系统等。此外,该芯片也可用于需要与微控制器或FPGA配合使用的场合,提供高效的数据缓存支持。

替代型号

IS42VM16800A-75BLL, IS42VM16800G-75BLL, CY62167EVLL-70BZI-S2

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IS42VM16800H-75BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格348 : ¥35.32339托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-TFBGA(8x8)