时间：2025/6/17 19:36:51
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SI1407DL-T1是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型DFN1008-6封装，适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，使其在便携式电子设备、负载开关、DC/DC转换器以及电池管理等应用中表现优异。
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：3.5A
导通电阻(RDS(on))：80mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷(Qg)：1.9nC
总电容(Ciss)：380pF
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +150℃
封装类型：DFN1008-6
SI1407DL-T1具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够减少功率损耗并提升效率。
2. 小型化封装，适合便携式及紧凑型设计。
3. 高开关速度，确保快速的动态响应。
4. 优秀的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
这些特点使得该器件非常适合于对空间和能效要求较高的应用场景。
SI1407DL-T1广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. DC/DC转换器及电源管理模块。
3. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源控制。
4. 开关调节器和电机驱动电路。
5. 电池保护和管理系统。
由于其小型封装和高效性能，这款MOSFET特别适合需要紧凑设计和低功耗的应用场合。
SI1408DL-T1, BSC018N06LS G, FDN340P
