时间：2025/7/18 8:49:14
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GRT1555C1H161FA02D 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频和高效能要求的电路中使用。
其封装形式为 DFN8（2x2mm），具有小尺寸、低热阻的优点，非常适合空间受限的设计场景。
型号：GRT1555C1H161FA02D
类型：MOSFET
极性：N-Channel
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：1.7mΩ（典型值，在 VGS=10V 下）
ID（连续漏极电流）：19A：±20V
功耗：2.4W
封装：DFN8（2x2mm）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 超低导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频应用需求。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 强大的散热能力，即使在高电流负载下也能保持稳定运行。
5. 宽工作温度范围，适用于各种恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类消费电子产品的电源管理系统。
6. 工业设备中的信号切换和保护电路。
GRT1555C1H161FA01D, GRT1555C1H161FA03D
