时间：2025/4/30 15:16:27
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CS2N60A3H 是一款高性能的 N 沫场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用和功率转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性。
该型号属于沟槽式 MOSFET 结构，能够有效降低开关损耗并提升系统效率。它广泛适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、LED 驱动器以及其他需要高效功率管理的应用中。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.0A
导通电阻：550mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=18ns, toff=45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极高的耐压能力，最大漏源电压达到 600V，适合高压环境下的应用。
2. 导通电阻低至 550mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速的开关速度，具有较小的栅极电荷，可显著降低开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑空间内使用。
5. 稳定的工作性能，支持宽温度范围内的可靠运行，确保在极端条件下的稳定性。
CS2N60A3H 广泛应用于多种功率电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心开关器件。
3. LED 驱动电路中的高效开关组件。
4. 各类工业控制设备中的功率管理单元。
5. 电池充电器和其他便携式设备中的功率调节模块。
STP3NU60, IRF640N
