19-217/BHC-AQ1R1/3T 是一种基于功率半导体技术的 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)器件,广泛应用于高效率开关电源、电机驱动以及工业控制等领域。该型号属于 BHC 系列,采用 TO-220 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高性能和高可靠性的场景。
其 AQ1R1 标识表明它是经过车规级认证的产品,适合在恶劣环境条件下运行,如汽车电子和工业自动化领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:45nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
19-217/BHC-AQ1R1/3T 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率性能,使其能够显著减少传导损耗并提高系统的整体效率。
此外,该器件还具备以下优势:
- 超低导通电阻设计,有助于降低功耗。
- 快速开关能力,减少开关损耗。
- 高雪崩能量能力,增强器件的耐用性。
- 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车应用中的可靠性。
- 内置 ESD 保护功能,提升抗静电能力。
该芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
- 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
- 汽车电子系统,例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
- 工业自动化设备中的电机驱动和逆变器控制。
- 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
- 充电器和适配器中的功率转换电路。
BSC018N06LS G, IRF540N, FDP17N6S