时间：2025/9/6 15:13:02
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HM5118165BLTT-8 是一款由Hynix（现代半导体）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有16位的数据宽度和128K x 16的存储容量，适用于需要高速数据访问的应用场景。它采用CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片常用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。
容量：128K x 16
数据宽度：16位
电源电压：3.3V
访问时间：8ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HM5118165BLTT-8 SRAM芯片具备多项优良特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其8ns的访问时间确保了高速数据读写能力，适用于对性能要求较高的系统。芯片采用CMOS技术，能够在3.3V电源电压下工作，具有较低的功耗，适合对能耗敏感的应用场景。此外，该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热稳定性和机械可靠性，适用于各种嵌入式系统和工业设备。
HM5118165BLTT-8的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，确保其在严苛环境下依然能够稳定运行。128K x 16的存储容量为系统设计提供了足够的数据存储空间，适用于缓存、缓冲存储器、高速数据处理等场景。该芯片还具备较高的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能保持稳定的数据传输性能。
该芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗的系统中，例如工业自动化设备、通信模块、嵌入式控制系统、网络设备、测试仪器等。在这些应用中，HM5118165BLTT-8能够提供快速可靠的数据存储支持，确保系统的高效运行。
CY7C1380B-10BZXC、IDT71V416S8B25PFG、IS61LV12816-8T
