型号：IXYK120N120C3
　　类型：SiC MOSFET
　　漏源电压Vds：1200 V
　　连续漏极电流Id：120 A
　　脉冲漏极电流Idm：480 A
　　导通电阻Rds(on)：120 mΩ（典型值，Tj=25°C）
　　栅极阈值电压Vgs(th)：3.5 V（典型值）
　　最大栅源电压Vgs：±20 V
　　二极管正向电压Vf：1.7 V（典型值）
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +175 °C
　　输入电容Ciss：11500 pF（典型值，Vds=600 V, Vgs=0 V）
　　输出电容Coss：980 pF（典型值）
　　反向恢复时间trr：<50 ns（典型值）
　　封装形式：双面散热模块（DSC）或类似高功率模块封装
　　安装方式：螺钉固定或焊接基板
　　热阻Rth(j-c)：0.25 K/W（典型值）

IXYK120N120C3的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，它具备高达1200V的阻断电压能力，能够在高压直流母线系统中安全可靠地工作，同时承受较高的电压瞬态冲击，适用于800V甚至更高电压平台的电动汽车动力系统。其次，该器件的导通电阻仅为120mΩ，在同类高压SiC MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通损耗，尤其在大电流持续工作的场景下节能效果明显。
　　该器件具有极快的开关速度，得益于碳化硅材料的高临界电场强度和优异的载流子迁移率，使得其开关过程中的上升时间和下降时间大幅缩短，从而支持更高的PWM调制频率。这不仅减小了无源元件（如电感和电容）的体积，还提升了系统的动态响应能力和整体效率。此外，其极低的反向恢复电荷（Qrr）和几乎可忽略的体二极管反向恢复行为，极大减少了桥式电路中因换流引起的交叉导通损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。
　　在热管理方面，IXYK120N120C3的工作结温可达+175°C，远高于传统硅基IGBT的150°C上限，这意味着即使在高温环境中也能保持良好性能，无需过度依赖复杂散热系统。其低热阻设计进一步增强了热量从芯片到散热器的传导效率，提升了功率循环能力与长期可靠性。此外，该器件对栅极驱动的要求较为友好，兼容标准+15V/-10V驱动电平，避免了使用专用高压驱动电路的成本增加。综合来看，IXYK120N120C3代表了当前宽禁带半导体技术在高压大功率应用中的先进水平。

IXYK120N120C3广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用领域包括新能源汽车的主驱逆变器，其中该器件作为核心开关元件，承担将电池直流电转换为三相交流电以驱动电机的任务。由于其高开关频率和低损耗特性，能够显著提升整车续航里程并减小逆变器体积。在车载充电机（OBC）中，该器件用于PFC（功率因数校正）级和DC-DC变换级，实现高效双向能量流动，支持快充和V2G（车辆到电网）功能。
　　在工业领域，IXYK120N120C3可用于高性能电机驱动器、UPS不间断电源和工业电源模块，特别是在高频化和小型化趋势下展现出明显优势。在可再生能源系统中，如集中式或组串式光伏逆变器，该器件可在高输入电压条件下实现高效DC-AC转换，适应1500V光伏阵列系统的发展需求。此外，它也被用于储能系统（ESS）中的双向DC-DC和DC-AC变换器，提升充放电效率并延长电池寿命。由于其满足车规级认证，因此特别适用于对安全性与耐用性要求极高的应用场景。

CMF1200B120D