类型：异步SRAM
　　容量：256Kbit（16K x 16）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54-TSOP
　　数据总线宽度：16位
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　封装尺寸：约18.4mm x 14.0mm

R1LV1616RBA-5SI 是一款专为高性能和低功耗应用设计的SRAM芯片，具有以下特性：
　　首先，它支持异步操作，使得其在没有时钟信号的情况下能够灵活地与多种控制器和系统总线接口兼容。其16位宽的数据总线设计支持高速数据传输，适用于图像处理、缓冲存储和实时控制等应用场景。
　　其次，该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，使其能够适应多种供电条件，适用于电池供电设备和工业控制系统。此外，其低功耗待机模式有助于在不使用时降低能耗，提高整体系统能效。
　　该芯片的访问时间为55ns，提供快速的数据读取能力，确保系统的实时响应。同时，其采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的可靠运行。
　　封装方面，R1LV1616RBA-5SI 采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局和散热管理，适用于空间受限的设计。

该芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中，例如工业控制设备、通信模块、智能仪表、便携式医疗设备、网络设备以及汽车电子系统。由于其宽电压和宽温度范围的特性，R1LV1616RBA-5SI 特别适合用于需要高可靠性的工业和汽车领域。其异步接口设计也使其适用于传统嵌入式处理器和微控制器的扩展存储应用。

R1LV1616RBA-5CI、R1LV1616SBA-5SI、R1LV25616RBA-5SI