SI1153-AB9X-GMR 是一款基于硅技术的巨磁阻 (GMR) 传感器芯片,广泛应用于磁场测量和检测领域。该芯片利用巨磁阻效应,能够高灵敏度地检测微弱的磁场变化,适用于工业自动化、消费电子以及医疗设备中的磁场传感需求。其封装形式紧凑,集成度高,并具有低功耗和高稳定性的特点。
型号:SI1153-AB9X-GMR
工作电压:1.6V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
灵敏度:最高可达 5mV/Gauss
输出信号类型:模拟电压输出
响应时间:小于 1ms
封装形式:LGA-4(2mm x 2mm)
静态电流:典型值 20μA
SI1153-AB9X-GMR 具有以下显著特性:
1. 高灵敏度:通过巨磁阻效应,能够精确检测极微弱的磁场变化。
2. 低功耗设计:适合电池供电的应用场景,延长设备续航时间。
3. 小型化封装:采用 LGA-4 封装,尺寸仅为 2mm x 2mm,非常适合空间受限的设计。
4. 宽工作电压范围:支持 1.6V 至 3.6V 的电源电压,适应多种供电环境。
5. 稳定性强:在宽温范围内表现出优异的性能稳定性,确保长期可靠运行。
6. 模拟输出:提供直接的模拟电压输出,便于与后续信号处理电路对接。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 工业自动化:用于位置检测、速度测量和角度测量等。
2. 消费电子:如智能手环、智能手机中的磁场感应功能。
3. 医疗设备:如磁共振成像(MRI)系统的辅助传感器。
4. 汽车电子:可用于电动助力转向系统(EPS)、变速器控制单元(TCU)等。
5. 航空航天:在导航系统中作为磁场检测元件使用。
SI1153-AB8X-GMR, SI1153-AC9X-GMR