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SI1153-AB9X-GMR 发布时间 时间:2025/5/26 19:12:42 查看 阅读:10

SI1153-AB9X-GMR 是一款基于硅技术的巨磁阻 (GMR) 传感器芯片,广泛应用于磁场测量和检测领域。该芯片利用巨磁阻效应,能够高灵敏度地检测微弱的磁场变化,适用于工业自动化、消费电子以及医疗设备中的磁场传感需求。其封装形式紧凑,集成度高,并具有低功耗和高稳定性的特点。

参数

型号:SI1153-AB9X-GMR
  工作电压:1.6V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  灵敏度:最高可达 5mV/Gauss
  输出信号类型:模拟电压输出
  响应时间:小于 1ms
  封装形式:LGA-4(2mm x 2mm)
  静态电流:典型值 20μA

特性

SI1153-AB9X-GMR 具有以下显著特性:
  1. 高灵敏度:通过巨磁阻效应,能够精确检测极微弱的磁场变化。
  2. 低功耗设计:适合电池供电的应用场景,延长设备续航时间。
  3. 小型化封装:采用 LGA-4 封装,尺寸仅为 2mm x 2mm,非常适合空间受限的设计。
  4. 宽工作电压范围:支持 1.6V 至 3.6V 的电源电压,适应多种供电环境。
  5. 稳定性强:在宽温范围内表现出优异的性能稳定性,确保长期可靠运行。
  6. 模拟输出:提供直接的模拟电压输出,便于与后续信号处理电路对接。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 工业自动化:用于位置检测、速度测量和角度测量等。
  2. 消费电子:如智能手环、智能手机中的磁场感应功能。
  3. 医疗设备:如磁共振成像(MRI)系统的辅助传感器。
  4. 汽车电子:可用于电动助力转向系统(EPS)、变速器控制单元(TCU)等。
  5. 航空航天:在导航系统中作为磁场检测元件使用。

替代型号

SI1153-AB8X-GMR, SI1153-AC9X-GMR

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SI1153-AB9X-GMR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥46.36981卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型环境,手势
  • 波长940nm
  • 接近探测
  • 输出类型I2C
  • 电压 - 供电1.62V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳10-LLGA
  • 供应商器件封装10-LGA(4.90x2.85)