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L6571D 发布时间 时间:2025/7/22 22:16:31 查看 阅读:7

L6571D 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能、高压、高频半桥驱动器集成电路,广泛用于驱动功率MOSFET或IGBT,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、照明系统(如HID灯)和电机控制等应用。该芯片采用高压BCD技术制造,具备高集成度和出色的抗干扰能力。

参数

工作电压范围:10V至20V
  高压侧浮动电压:最高可达600V
  输出驱动能力:最大灌电流/拉电流为200mA/250mA
  工作频率:支持高达1MHz的开关频率
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:SO-16(表面贴装)

特性

L6571D 具备高压侧和低压侧驱动能力,能够实现半桥拓扑结构中的高端和低端MOSFET驱动。
  内置死区时间控制,防止上下桥臂同时导通造成的直通电流,提高系统可靠性。
  具有欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止驱动不稳定。
  采用了自举技术,高压侧驱动无需独立电源,简化了外围电路设计。
  具有快速的传播时间和低延迟特性,适合高频开关应用,减少开关损耗。
  芯片设计具有良好的抗dv/dt干扰能力,提升系统在高电压变化率下的稳定性。
  其SO-16封装形式便于PCB布局,适用于高密度电源设计。

应用

L6571D 常用于各类高频开关电源中,例如AC-DC适配器、LED驱动器、电子镇流器等。
  在DC-DC转换器中,如LLC谐振转换器、半桥式变换器等拓扑中作为驱动部分的核心器件。
  适用于工业照明系统,如高强度气体放电灯(HID)驱动电路。
  也可用于电机驱动和电磁感应加热等功率控制应用。
  由于其高压能力和高频响应,适用于需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子产品。

替代型号

L6384E、IR2153、NCP5103、IRS21844、LM5112

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