类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.50Ω
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-262（具体型号可能有所不同）

SHM50UF 具有多个关键特性，使其适用于各种高功率电子系统。首先，其导通电阻较低，这意味着在高电流工作条件下，功率损耗较小，效率更高。这在设计高能效电源系统时尤为重要。
　　其次，该MOSFET具有较高的最大漏源电压（Vds）额定值，达到500V，适用于高压应用，例如开关电源（SMPS）和工业电机控制。此外，其最大连续漏极电流为10A，能够在不使用额外散热片的情况下处理相对较高的负载，从而减少电路板空间和成本。
　　该器件的封装形式通常为TO-220或TO-262，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其在各种环境条件下都能保持稳定运行，适用于工业和汽车电子等严苛应用。
　　另外，SHM50UF 的栅极驱动电压范围较宽，通常可接受±30V的栅极电压，允许使用多种栅极驱动器进行控制。这种灵活性使其在不同电路设计中具有广泛的应用潜力。

SHM50UF 适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高电压和高电流能力也使其在LED照明系统、不间断电源（UPS）和家用电器控制电路中广泛应用。

STP10NM50N、IRF540N、FDPF5N50、FQP10N50