时间：2025/4/27 16:23:42
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CS25N50FA9R-G 是一款高性能的 N 沱 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少功率损耗。
这款 MOSFET 的设计使其非常适合于需要高效率和高可靠性的应用场合，其耐压值高达 50V，并具备出色的热稳定性和电气性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：14A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：36nC
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CS25N50FA9R-G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.8mΩ，这使得它能够在大电流应用中表现出较低的功耗。
2. 高速开关能力，栅极电荷较小，仅为 36nC，有助于降低开关损耗。
3. 良好的热稳定性，确保长时间运行时的可靠性。
4. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适合各种恶劣环境下的应用。
5. 具备反向恢复电荷低的特点，进一步提升了其在高频开关应用中的表现。
CS25N50FA9R-G 广泛应用于多个领域，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节组件。
CS25N50FA9R-H, IRF540N, FDP5570N
