时间：2025/7/12 17:12:49
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DMN313DLT-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用超小型 DFN2020-6L 封装，适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理、负载开关、同步整流和电池供电设备的理想选择。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：3.5A
导通电阻(RDS(on))：40mΩ (在 VGS=4.5V 时)
栅极电荷(Qg)：11nC
总功耗(Ptot)：590mW
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
DMN313DLT-7 提供了出色的性能和可靠性，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率转换和更低的发热。
2. 快速的开关速度减少开关损耗，提升整体系统效率。
3. 超小型封装节省 PCB 空间，适合便携式和空间受限应用。
4. 高浪涌能力增强了器件的鲁棒性，适合严苛环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
DMN313DLT-7 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类消费类电子产品中的电源管理模块。
3. USB 充电器和适配器中的同步整流电路。
4. 电池供电系统的保护和控制电路。
5. 工业自动化和通信设备中的信号切换电路。
DMN3030LDT-7, BSS138, SI2302DS
