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GA1206Y124JXXBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 18:05:41 查看 阅读:12

GA1206Y124JXXBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等多种应用场景,能够显著提升系统效率并降低能量损耗。
  该型号属于沟道增强型MOSFET系列,其优化的结构使其在高温条件下依然保持稳定的性能表现。同时,它具备良好的静电防护能力(ESD Protection),从而提高了整体的可靠性。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:180pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,能够有效降低开关损耗。
  3. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的运行需求。
  4. 内置静电保护电路,增强器件在实际使用中的抗干扰能力。
  5. 小尺寸封装,适合空间受限的设计方案。

应用

1. 开关电源适配器及充电器
  2. DC-DC转换器与逆变器
  3. 电机驱动控制电路
  4. LED照明驱动模块
  5. 电池管理系统(BMS)

替代型号

GA1206Y124JXXBR28G
  IRFZ44N
  FDP5570N
  STP60NF06L

GA1206Y124JXXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-