类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　齐纳电压（Vz）：2.4V（@ Izt = 20mA）
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA（@ Vr = 1V）
　　测试电流（Izt）：20mA
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（max）

MMSZ5251B-K1是一款具有高稳定性和低动态阻抗的齐纳二极管，适用于要求高精度电压参考的电路。其SOD-123封装具有较小的尺寸，便于在高密度PCB布局中使用。该器件在2.4V电压下具有良好的温度系数，能够在较宽的温度范围内保持稳定的齐纳电压。此外，MMSZ5251B-K1的功耗较低，适用于电池供电设备和低功耗系统。其快速响应特性也使其适用于过压保护和稳压电路。
　　该器件的制造工艺确保了良好的一致性和可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。MMSZ5251B-K1的齐纳电压精度通常为±5%，也可提供更高精度版本（如±1%）。其反向漏电流极低，在1V反向电压下最大仅为100nA，有助于降低待机功耗。此外，该器件具有良好的瞬态响应能力，能够快速响应电压波动并保持输出电压稳定。

MMSZ5251B-K1广泛应用于各种电子设备中，主要包括：
　　1. 电压参考源：在电源管理电路、ADC/DAC参考电压电路中提供稳定的2.4V参考电压。
　　2. 电压调节：用于低压稳压电路中，配合三极管或MOSFET构建简单的线性稳压器。
　　3. 过压保护：在敏感电路中作为钳位器件，防止电压过高损坏后续电路。
　　4. 信号调理：在模拟电路中用于电压电平转换和信号限幅。
　　5. 电池管理系统：用于电池电压检测和均衡电路中，确保电池组的安全运行。
　　6. 便携式设备：由于其小封装和低功耗特性，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电系统。

MMSZ5251B-TP MMSZ5251B-HE3-08 MMSZ5251B-K1-08 MMSZ5251B-7-F MMSZ5251B-14