IPP120N06NG是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的TRENCH技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。它广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域,能够提供高效的功率传输和优秀的热性能。
IPP120N06NG采用了TO-220封装形式,这种封装有助于提高散热性能,使其在高温环境下也能稳定工作。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:120A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
封装形式:TO-220
IPP120N06NG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
3. 高额定电流能力,可承受高达120A的连续漏极电流。
4. 具备出色的热稳定性,能够在高温条件下正常运行。
5. 使用TO-220封装,便于安装和散热。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
7. 内部集成齐纳二极管保护电路,提高了器件的鲁棒性和可靠性。
IPP120N06NG适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
6. 各种需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
IPP150N06N, IPP100N06N