时间：2025/9/14 19:24:36
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BUK9Y153-100E,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其封装形式为TO-220，便于散热和在高功率应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
BUK9Y153-100E,115 MOSFET 具有多个显著的技术特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为1.5mΩ，这在同类产品中具有竞争优势，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其次，该器件的额定漏源电压为100V，连续漏极电流高达70A，使其适用于中高功率电源转换应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。
此外，BUK9Y153-100E,115 采用先进的Trench沟槽技术，优化了导通特性和开关性能，同时保持了良好的热稳定性。该MOSFET的栅极驱动电压范围为10V至20V，确保在不同应用场景下都能实现可靠的导通和关断操作。器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，展现了良好的热适应性和可靠性，适用于严苛的工业和汽车环境。
该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET的封装符合RoHS标准，适用于环保和无铅制造流程。
BUK9Y153-100E,115 MOSFET 主要用于各种高功率和高效率电源管理系统中。它常被应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和工业自动化设备中。在这些应用中，其低导通电阻和高电流承载能力能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。
此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。由于其宽工作温度范围和高可靠性，BUK9Y153-100E,115 能够满足汽车和工业应用中对稳定性和耐用性的严苛要求。
在电源管理领域，该MOSFET可用于高性能服务器电源、UPS（不间断电源）和工业电源系统。其优异的热性能和封装设计使其在高功率密度应用中表现出色，能够有效应对高温环境下的运行挑战。
Si7453DP-T1-GE3, IPPB90N10N3G, FDS4410AS
