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SH8K22TB1 发布时间 时间:2025/12/25 13:43:49 查看 阅读:19

SH8K22TB1是一款由芯炽科技推出的高性能、高精度的霍尔效应电流传感器芯片。该器件基于先进的霍尔技术,结合片内信号调理电路和高灵敏度磁感应结构,能够实现对交流、直流或脉冲电流的非接触式测量。SH8K22TB1采用紧凑型表面贴装封装(如SOP8或类似),适用于需要高隔离电压、低功耗和高线性度的工业与电力电子应用。其内部集成了高增益霍尔探头、精密放大器、温度补偿电路以及稳定的偏置控制机制,确保在宽温度范围和复杂电磁环境下仍能保持优异的测量精度与长期稳定性。该芯片具备良好的抗干扰能力,输出信号与被测电流成精确比例关系,典型响应时间短,适合用于实时电流监控系统。此外,SH8K22TB1设计上注重安全性与可靠性,支持高达数千伏的电气隔离,满足多种安全标准要求,广泛应用于新能源、电机驱动、电源管理和智能电表等领域。
  

参数

工作电压:4.5V ~ 5.5V
  输出类型:模拟电压输出
  测量范围:±22A(典型)
  灵敏度:约180mV/A(典型)
  零点输出电压:VCC/2(典型)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  响应时间:≤3μs
  非线性度:< ±0.8% FS
  电流消耗:< 15mA
  隔离电压:≥3000VRMS(典型)
  带宽:DC ~ 120kHz

特性

SH8K22TB1的核心特性之一是其高精度与出色的温度稳定性。该芯片内置精密的温漂补偿电路,能够在-40°C至+125°C的宽工作温度范围内保持极小的偏移电压变化和灵敏度漂移,从而确保在整个生命周期内提供稳定可靠的电流检测性能。其非线性误差小于±0.8%,且具有极低的迟滞现象,非常适合用于对测量精度要求较高的闭环控制系统中。此外,该器件采用专有的动态失调消除技术,有效抑制了传统霍尔传感器常见的热漂移和机械应力引起的零点漂移问题,显著提升了长期运行的可重复性和一致性。
  另一个关键优势是其快速响应能力和宽频带特性。SH8K22TB1的响应时间不超过3微秒,带宽可达120kHz,使其能够准确捕捉高频电流瞬变过程,适用于PWM调制下的电机驱动和开关电源等应用场景。同时,模拟输出形式便于与MCU的ADC接口直接连接,无需额外的信号转换电路,简化了系统设计。芯片还具备较强的抗外部磁场干扰能力,通过优化磁路结构和集成屏蔽层设计,降低了邻近导体或其他元器件产生的杂散磁场影响,提高了整体系统的电磁兼容性(EMC)表现。
  在安全性方面,SH8K22TB1支持高达3000VRMS的电气隔离电压,符合IEC 60950、UL等国际安全规范,可用于高压侧电流采样而无需担心绝缘失效风险。它采用符合RoHS标准的环保封装工艺,具备良好的耐湿性和机械强度,适合自动化贴片生产。此外,该器件功耗较低,在满载条件下总电流消耗低于15mA,有助于提升整个系统的能效水平。综合来看,SH8K22TB1以其高精度、快速响应、高隔离度和强环境适应性,成为现代电力电子系统中理想的电流传感解决方案。

应用

SH8K22TB1广泛应用于各类需要高精度、高隔离度电流检测的电子系统中。在工业自动化领域,常用于伺服驱动器、变频器和PLC模块中的相电流反馈检测,为电机控制提供实时、稳定的输入信号,保障系统高效运行。在新能源系统中,该芯片被集成于光伏逆变器、储能变流器和电动汽车车载充电机(OBC)中,用于直流母线电流或电池充放电电流的监测,帮助实现能量管理与过流保护功能。此外,在开关电源和数字电源系统中,SH8K22TB1可用于初级或次级侧的电流环控制,提高电源的动态响应和负载调整率。
  在智能电网设备中,如智能断路器、漏电保护器和多功能电能表,SH8K22TB1凭借其高线性度和长期稳定性,能够实现精准的电量计量与故障诊断。其非接触式测量方式避免了传统分流电阻带来的功率损耗和热积累问题,提升了系统整体效率。在电动工具和家用电器中,该芯片可用于电机电流监控,实现堵转保护、软启动控制和能效优化。由于其小型化封装和表面贴装特性,也适合空间受限的应用场景,例如紧凑型电源模块或便携式电力测试仪器。此外,SH8K22TB1还可用于电池管理系统(BMS)中进行充放电电流检测,支持SOC估算和均衡控制策略的实施,提升电池组的安全性与使用寿命。

替代型号

ACS724LLCTR-20AU
  CH701W-DGR2
  CSDAX300A-20

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SH8K22TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)45V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8K22TB1TR