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CB2012T2R2MV 发布时间 时间:2025/12/27 10:33:00 查看 阅读:13

CB2012T2R2MV是一款由华新科技(Walsin Technology Corporation)生产的贴片电感(Chip Inductor),属于其CB2012系列。该器件采用紧凑的2012封装尺寸(即0805英制尺寸,2.0mm x 1.2mm),适用于对空间要求极为严苛的便携式电子设备。型号中的'2R2M'表示其电感值为2.2μH,误差等级为±20%(M级精度)。这款电感专为高频和中频电路设计,在电源管理、射频模块以及信号完整性处理等应用中表现优异。
  CB2012T2R2MV采用多层陶瓷基板与内部绕线结构制造,具备良好的磁屏蔽性能和稳定的电气特性。它能够在有限的空间内提供较高的Q值和较低的直流电阻(DCR),从而减少能量损耗并提高系统效率。此外,该产品符合RoHS环保标准,支持无铅回流焊工艺,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类消费类电子产品中。
  作为一款通用型功率电感,CB2012T2R2MV在电源转换电路中常用于DC-DC转换器的输出滤波、储能元件或噪声抑制环节。其结构设计优化了电流承载能力和热稳定性,适合在高温环境下长期工作。由于其小型化和高可靠性特点,已成为现代高密度PCB布局中的关键被动元件之一。

参数

产品类型:贴片电感
  封装尺寸:2012(公制)/0805(英制)
  电感值:2.2μH
  允许偏差:±20%
  直流电阻(DCR):典型值约370mΩ
  额定电流(Ir):约140mA(基于温升30°C条件)
  饱和电流(Isat):约200mA(电感下降30%时)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  绝缘电阻:≥500MΩ
  核心材料:铁氧体陶瓷复合材料
  安装方式:表面贴装(SMT)

特性

CB2012T2R2MV贴片电感采用了先进的多层片式结构与铁氧体材料体系,使其在微型化的同时保持优良的电磁性能。其内部导体采用高纯度银浆印刷技术,在低温共烧陶瓷(LTCC)工艺下形成稳定的三维绕组结构,有效提升了单位体积内的电感密度,并降低了寄生电阻带来的功耗问题。这种结构还增强了元件的抗电磁干扰(EMI)能力,减少了对外部电路的耦合噪声,特别适用于高频开关电源环境下的稳定运行。
  该电感具有良好的频率响应特性,在几十MHz范围内仍能维持较高的Q值,有利于提升射频前端模块或PLL回路中的信号质量。同时,其磁芯材料经过特殊配方处理,具备优异的温度稳定性,确保在-40°C至+125°C宽温范围内电感值变化较小,满足工业级与消费级产品的严苛要求。另外,器件的端电极采用三层电镀结构(铜-镍-锡),增强了焊接可靠性和耐潮湿、耐腐蚀能力,适合自动化贴片生产和长期服役场景。
  CB2012T2R2MV的设计充分考虑了现代电子设备对高效能与小型化的双重需求。它在DC-DC升压、降压及升降压电路中可作为储能元件使用,能够快速响应负载变化,维持输出电压稳定。其较低的直流电阻有助于降低导通损耗,提高电源转换效率,尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。此外,该电感对瞬态电流冲击表现出较强的承受能力,能在短时间内通过较大电流而不发生明显饱和现象,保障系统安全运行。

应用

CB2012T2R2MV广泛应用于各类便携式消费电子产品中,如智能手机、智能手表、无线耳机和其他可穿戴设备,主要用于电源管理单元中的DC-DC转换器电路,实现高效的电压调节与能量传输。此外,它也常见于物联网终端节点、传感器模块和低功耗蓝牙(BLE)通信模块中,用于滤除开关噪声、平滑输出电流以及提升整体电源纯净度。
  在射频应用方面,该电感可用于阻抗匹配网络、LC谐振电路和带通滤波器设计,帮助优化天线馈电路径或放大器输入输出端的频率响应特性。由于其良好的高频特性和小尺寸优势,非常适合用于紧凑型RFID标签、NFC模块以及Wi-Fi模组中。
  除此之外,CB2012T2R2MV还可用于数字处理器的核心供电滤波、FPGA旁路电感、摄像头模组电源去耦以及LED背光驱动电路中。在汽车电子领域,虽然其非车规级认证,但在部分车载娱乐系统的次级电源或辅助功能模块中也有一定应用。总体而言,该器件适用于所有需要小型化、高效率、稳定性能的贴片电感场景。

替代型号

LQM21PN2R2MJ0L
  DLW21SN2R2SQ5L
  SRN2012-2R2M
  CLK2012NR22

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CB2012T2R2MV参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥0.77806卷带(TR)
  • 系列CB
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感2.2 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)620 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)410mA
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)299 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振80MHz
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 电感频率 - 测试7.96 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 供应商器件封装0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.057"(1.45mm)