H5PS5162F 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR5(低功耗双倍数据速率第五代)内存标准,专为移动设备和高性能计算应用设计,提供更高的数据传输速率和更低的功耗。该封装采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)形式,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对空间和能效要求较高的设备。
容量:16Gb(2GB)
组织结构:x16
电压:1.1V(核心电压VDD)
电压:1.0V(I/O电压VDDQ)
时钟频率:最高6400Mbps
封装类型:FBGA
封装尺寸:134-ball
工作温度:-40°C 至 +85°C
H5PS5162F 采用先进的LPDDR5技术,具备高速数据传输能力,最大数据速率为6400Mbps,显著提升了内存带宽效率。
其低电压设计(1.1V核心电压和1.0V I/O电压)有助于降低整体功耗,延长移动设备的电池寿命。
该芯片支持多种节能模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电省电模式,以满足不同应用场景下的功耗需求。
内置的Error Correcting Code (ECC) 功能可提升数据完整性,确保高可靠性数据传输。
H5PS5162F 支持多段数据传输(Multi-bank Group)和突发长度(Burst Length)优化,提高了内存访问效率和灵活性。
此外,该芯片还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于复杂环境下的高性能系统。
H5PS5162F 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式计算平台以及需要高性能内存的物联网(IoT)设备。
由于其高速和低功耗特性,该芯片也非常适合用于AI加速模块、边缘计算设备和高性能工业控制系统。
在汽车电子领域,H5PS5162F 可用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载通信模块,满足对稳定性和耐久性的高要求。
此外,该芯片也适用于新一代AR/VR设备、智能穿戴设备和数据中心边缘计算设备。
H5PS5161B, H9HP53A4JAC0DMG, H9HKNNDBPMMLDR