时间：2025/9/7 13:16:53
阅读：41
HVD355B13KRF 是一款高压、高频率、MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及高频率功率放大器等场合。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有优良的导通和开关性能，能够在高电压和大电流条件下保持稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：350V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A（在25℃）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（最大0.6Ω）
开关时间：导通延迟时间(td(on)) 12ns，关断延迟时间(td(off)) 42ns
输入电容(Ciss)：1300pF（典型值）
HVD355B13KRF具备低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（350V Vds）使其适用于高电压环境，例如高压电源和工业控制设备。该MOSFET的开关速度快，适合高频应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升系统集成度。
此外，HVD355B13KRF具有良好的热稳定性和过热保护能力，可在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子产品。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动，提高了设计的灵活性。同时，其较高的雪崩能量耐受能力增强了器件在异常工况下的可靠性。
HVD355B13KRF广泛应用于各类电力电子系统中，如AC-DC开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器、LED驱动电源、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。此外，它还可用于高频逆变器、UPS不间断电源和功率因数校正（PFC）电路中，满足对高效率和高可靠性的需求。
STP5NK60Z, FQP5N35, IRFBC30
