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MB87R1520PFV 发布时间 时间:2025/9/24 16:47:40 查看 阅读:12

MB87R1520PFV是一款由富士通(Fujitsu)公司推出的低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高速读写能力,适用于对数据访问速度和稳定性要求较高的嵌入式系统与通信设备中。MB87R1520PFV的存储容量为1兆位(1Mbit),组织方式为64K x 16位,意味着其拥有65,536个地址位置,每个地址可存储16位数据,非常适合需要并行数据处理的应用场景。该芯片工作电压范围较宽,通常在3.0V至3.6V之间,确保了在不同电源条件下的稳定运行。封装形式为小型化的44引脚TSOP(Thin Small Outline Package),有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电子设备的设计。MB87R1520PFV具备出色的抗干扰能力和数据保持特性,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电或便携式设备使用。此外,该芯片符合工业级温度范围规范(-40°C至+85°C),可在恶劣环境下稳定工作,增强了系统的环境适应性。作为一款成熟的SRAM产品,MB87R1520PFV广泛应用于网络设备、工业控制、医疗仪器以及消费类电子产品中,是许多传统设计中的可靠选择。尽管富士通已逐步退出部分存储器市场,但该型号仍被多家第三方厂商兼容生产,并通过授权或替代型号继续服务于现有设备的维护与升级需求。

参数

型号:MB87R1520PFV
  制造商:Fujitsu
  存储容量:1Mbit(64K x 16)
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  访问时间:约55ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44-pin TSOP Type II
  接口类型:并行接口(16位数据总线)
  电源电流:运行模式下典型值约30mA,待机电流小于10μA
  读写控制信号:支持CE#(片选)、WE#(写使能)、OE#(输出使能)等标准控制引脚
  输入/输出电平兼容性:TTL电平兼容

特性

MB87R1520PFV具备多项关键特性,使其在众多SRAM器件中脱颖而出。首先,其高速访问时间为55纳秒,能够满足大多数实时系统对于快速数据存取的需求。这一性能表现使得处理器与外设之间的数据交换更加高效,减少了等待周期,提升了整体系统响应速度。其次,该芯片采用低功耗CMOS技术,在正常运行时仅消耗约30mA电流,而在待机或掉电模式下,电流可降低至10微安以下,极大地延长了电池供电设备的工作时间,特别适用于移动终端、手持仪器等对能耗敏感的应用场合。
  该器件的64K x 16位组织结构提供了良好的数据宽度支持,16位并行接口可以直接连接到16位微处理器或DSP芯片的数据总线上,无需额外的数据锁存或分时复用逻辑,简化了电路设计,提高了系统可靠性。所有输入输出引脚均与TTL电平兼容,便于与多种逻辑器件直接对接,降低了电平转换带来的复杂性和成本。
  在可靠性方面,MB87R1520PFV经过严格的质量测试,能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业现场环境。其抗静电能力(ESD保护)和噪声抑制设计也达到了行业标准水平,有效防止因外部干扰导致的数据错误或器件损坏。此外,该芯片具有自动省电功能,当片选信号(CE#)无效时自动进入低功耗待机状态,无需额外控制即可实现节能效果。
  封装上采用44引脚TSOP-II形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。引脚排列清晰合理,便于布线和自动化贴装。虽然富士通已不再主推该系列SRAM,但其技术规格已被业界广泛采纳,目前市场上仍有多个品牌提供兼容型号,确保了长期供货和技术延续性。

应用

MB87R1520PFV因其高速、低功耗和高可靠性的特点,被广泛应用于多个领域的电子系统中。在通信设备领域,它常用于路由器、交换机和基站模块中作为帧缓冲区或临时数据缓存,用于暂存高速传输过程中的数据包,提升数据处理效率。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和运动控制卡中,作为程序运行时的临时变量存储空间或高速采集数据的缓冲区,保障控制指令的及时执行。
  在医疗电子设备中,如超声成像仪、监护仪和便携式诊断设备,MB87R1520PFV可用于图像数据的快速缓存和处理,支持实时显示和分析功能。由于其低功耗特性,也非常适合集成在电池供电的便携式仪器中,延长设备续航时间。消费类电子产品如高端打印机、扫描仪和多媒体播放器也会采用此类SRAM来提升系统响应速度和多任务处理能力。
  此外,在测试与测量仪器(如示波器、逻辑分析仪)中,MB87R1520PFV可用于高速采样数据的临时存储,配合FPGA或DSP进行后续处理。航空航天和军事电子系统中也有应用案例,得益于其宽温工作能力和高稳定性,可在极端环境下保持数据完整性。随着物联网和边缘计算的发展,一些需要本地高速缓存的智能节点也开始考虑使用类似规格的SRAM作为协处理器的辅助内存资源。

替代型号

IS61WV102416BLL-10MLI
  CY7C1021DV33-10ZSXI
  AS6C1008-55BIN

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