RBR3LAM40ATFTR 时间：2025/12/25 13:48:38 阅读：24

RBR3LAM40ATFTR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装（TSSLP1612-PM），尺寸小巧，适合在空间受限的便携式电子设备和高密度电路板中使用。RBR3LAM40ATFTR属于ROHM的“Eco-friendly”系列，符合RoHS标准，不含铅、卤素等有害物质，适用于绿色环保电子产品。这款二极管具有低正向电压降（VF）和快速反向恢复时间（trr ≈ 0ns），能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源转换效率。其主要目标应用包括DC-DC转换器、同步整流电路、逆变器、电池管理系统以及各类消费类电子产品的电源模块。由于采用了先进的芯片制造工艺和封装技术，RBR3LAM40ATFTR在高温环境下仍能保持稳定性能，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内长期运行。此外，该器件还具备较高的反向耐压能力，确保在瞬态电压冲击下仍能安全工作，增强了系统的鲁棒性。

参数

产品类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：3A
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：50A
　　最大正向电压降（VF）：0.58V @ 3A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 40V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值接近0ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSLP1612-PM
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（Rth(j-a)）：约80°C/W（依PCB布局而定）
　　湿气敏感等级（MSL）：MSL 1（可回流焊）

特性

RBR3LAM40ATFTR的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合，特别适合用于现代高效电源系统。该肖特基二极管采用低势垒金属-半导体结结构，实现了极低的正向导通压降（VF），在3A电流下仅约为0.58V，相比传统PN结二极管大幅减少了功率损耗，提升了整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎为零（trr ≈ 0ns），在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效降低了电磁干扰（EMI）和开关应力，提高了系统的稳定性与安全性。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，适用于12V至36V的直流电源系统，广泛用于同步整流拓扑中的续流或箝位功能。例如，在降压型（Buck）或升压型（Boost）DC-DC转换器中，RBR3LAM40ATFTR可以作为输出整流或自由轮转二极管使用，替代MOSFET体二极管以减少导通损耗。其3A的平均正向电流能力足以应对中小功率电源需求，如智能手机充电模块、USB PD电源适配器、笔记本电脑电源管理单元等。
　　TSSLP1612-PM封装尺寸仅为1.6mm × 1.2mm × 0.55mm，具有极小的占位面积和低高度，非常适合高密度PCB布局。该封装还优化了散热路径，通过底部导热焊盘将热量有效传导至PCB地层，从而提升热性能。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。RBR3LAM40ATFTR还具备良好的抗浪涌能力，可承受高达50A的峰值脉冲电流，增强了系统对瞬态事件的容忍度。

应用

RBR3LAM40ATFTR广泛应用于需要高效率和小型化的电源系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块，在这些设备中，低VF和高频响应特性有助于提高电池利用率并减少发热。此外，它也常用于同步整流电路中作为辅助整流元件，配合控制器实现更高效率的能量转换。在工业控制领域，该器件可用于PLC电源、传感器供电模块以及小型电机驱动器中的保护和续流功能。通信设备中的隔离式电源（如PoE供电模块）同样受益于其快速响应和低损耗特性。另外，LED照明驱动、USB Type-C充电接口、无线充电发射端及接收端电源架构中也可采用此型号进行能量传递与电压箝位。由于其环保合规性和高可靠性，RBR3LAM40ATFTR也适用于汽车电子中的非动力域系统，如车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源和车内照明控制单元。