容量：4GB
　　内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
　　数据速率：2.4 Gbps
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　工作电压：1.2V
　　接口类型：多层堆叠，3D TSV（Through Silicon Via）
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：1024位
　　最大带宽：307GB/s

H9HCNNN4GUMLHR-NME 作为HBM2存储器的一种典型代表，具备多项先进的技术特性。首先，其采用的3D TSV（硅通孔）技术，使多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过微小的硅通孔进行互连，显著减少了信号路径长度，从而降低了功耗并提高了数据传输效率。此外，H9HCNNN4GUMLHR-NME 提供高达2.4 Gbps的数据传输速率，配合1024位总线宽度，可实现惊人的307GB/s带宽，远超传统GDDR5或DDR4内存的性能。
　　该芯片的工作电压为1.2V，相较于前代产品（HBM1），在功耗控制方面有了进一步优化，使得每瓦特带宽比大幅提升。同时，其紧凑的封装尺寸使其非常适合空间受限的高端GPU、AI加速卡和FPGA设备。H9HCNNN4GUMLHR-NME 的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在各种严苛环境下的稳定运行。
　　此外，HBM2技术还支持堆叠多个内存芯片，H9HCNNN4GUMLHR-NME 支持与GPU或其他处理器直接通过中介层（Interposer）连接，进一步缩短内存访问延迟，提高整体系统性能。

H9HCNNN4GUMLHR-NME 主要应用于需要极高内存带宽和低延迟的计算平台。其最典型的应用是在高端图形处理单元（GPU）中，如NVIDIA的Tesla系列和AMD的Radeon Instinct系列，用于深度学习训练、科学计算和大规模数据处理等任务。此外，它也广泛用于人工智能加速器（如FPGA、ASIC）和超级计算机中，以满足高性能计算对数据吞吐量的极端需求。
　　在游戏显卡领域，H9HCNNN4GUMLHR-NME 被用于提供更高的帧率和更复杂的图形渲染能力，尤其是在4K甚至8K分辨率下运行的现代游戏。同时，该芯片也被应用于数据中心的AI推理服务器，为大规模神经网络模型提供快速的内存访问支持。
　　由于其高带宽和低功耗特性，H9HCNNN4GUMLHR-NME 在嵌入式视觉系统、自动驾驶计算平台和实时图像识别系统中也有广泛应用。

H9HCNNN4GUMLHR-NME 可以考虑替代的型号包括SK Hynix的H9HCRNN8GAMVJR-NME（HBM2 8GB）、Samsung的K3PEF1GVBB-A2K1（HBM2 4GB 2.4Gbps）以及H9HCNNN6GTMLHR-NME（4GB HBM2 2.5Gbps）。