时间：2025/12/28 16:18:00
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25N120ND是一款高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高电流和高电压的功率转换系统中。该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于开关电源、电机驱动、UPS系统及工业自动化控制等多种场景。25N120ND的设计使其能够在高电压和大电流条件下稳定运行，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：1200V
最大漏极电流(Id)：25A
栅极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值0.24Ω
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
25N120ND具备多项优异的电气特性和物理特性。首先，其高漏极电压能力（1200V）使其适用于高压系统，如工业电源和电机控制电路。其次，25A的额定漏极电流确保该器件能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用。此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.24Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
25N120ND还具备良好的热稳定性，采用TO-247封装设计，有效提高散热效率，使其能够在高温环境下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，简化了控制电路的设计难度。
在动态性能方面，25N120ND具有快速的开关响应时间，降低了开关损耗，从而提升了系统的工作频率和能效。其耐用性和可靠性也使其在恶劣环境下保持稳定运行，适合工业和电力电子设备的长期使用。
25N120ND广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电焊机等。在开关电源中，它作为主开关器件，负责高效的能量转换；在电机驱动中，它用于控制电机的运行状态；在UPS系统中，它支持逆变器的功率输出，确保电力中断时的稳定供电。
SKM25NB120D, IRGP4063D1PBF, FGL40N120AND
