SH4018330YLB 时间：2025/8/16 10:33:22 阅读：29

SH4018330YLB 是一款由 Shindengen（新电元）公司制造的功率半导体器件，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及高效率电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：180A
　　漏源击穿电压：30V
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（最大）
　　功率耗散：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

特性

SH4018330YLB 具备多项优异性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为3.3mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提高了电流密度，同时优化了热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　此外，该器件的开关速度快，栅极电荷低，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。其封装形式为TO-263，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。
　　在可靠性方面，SH4018330YLB 设计有内置保护功能，包括过热保护和过电流保护，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。这使得它在工业电源、汽车电子和通信设备中具有广泛的应用前景。

应用

SH4018330YLB 主要应用于需要高效功率转换的领域。例如，在工业电源系统中，它可用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，提供高效率和高可靠性的解决方案。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆的电源控制模块。
　　此外，该MOSFET也广泛用于服务器电源、通信电源、UPS（不间断电源）以及储能系统等高功率密度应用场合。其优异的热性能和高频响应能力，使其成为高效率电源转换器的理想选择。