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IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:16:22 查看 阅读:6

IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片,属于高性能异步CMOS SRAM系列。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高速访问时间等特点,适用于需要快速数据存取的应用场景。该SRAM芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),因此在工业控制、通信设备和嵌入式系统中广泛使用。

参数

类型:异步SRAM
  容量:16Mbit(2MB)
  组织方式:1M x16
  访问时间:166MHz
  电压范围:2.3V至3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  温度范围:-40°C至+85°C

特性

IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR具有多项显著的性能特点。首先,它采用了高速CMOS工艺,提供了166MHz的访问频率,确保了在高速数据处理应用中的稳定性和可靠性。该芯片的异步设计使其在不需要外部时钟信号的情况下,能够根据地址和控制信号的变化快速响应,适用于灵活的系统架构。其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源系统,包括3.3V和2.5V电源,从而提高了设计的灵活性并降低了功耗。此外,该SRAM芯片具备低待机电流特性,在不进行数据访问时可有效降低能耗,适用于对功耗敏感的应用场景。封装方面,采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合紧凑型电路设计。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)也确保了其在恶劣环境下的稳定性,使其能够广泛应用于工业自动化、通信设备、网络设备等领域。
  IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR的高可靠性和稳定性也体现在其内部结构设计上。该芯片采用了先进的存储单元设计,具有良好的数据保持能力,即使在极端温度和电压波动条件下也能保持数据完整性。此外,其地址和数据总线分离的结构设计,使得外部控制器可以更高效地进行数据读写操作,提高了系统的整体响应速度。

应用

IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的嵌入式系统和工业设备。例如,该芯片可作为高速缓存或临时数据存储器用于工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)和智能传感器,以提升数据处理速度和系统响应能力。在通信设备领域,该SRAM芯片可用于路由器、交换机和无线基站等设备中的数据缓冲和高速数据交换。此外,该芯片也适用于测试与测量仪器、医疗电子设备、安防监控系统以及车载电子系统等应用场景。由于其支持宽温度范围和多种电源电压,IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR在设计上具有高度的灵活性,能够满足不同行业的应用需求。

替代型号

IS66WVH16M8ALL-166B1LQI-TR, CY62167VLL-166BZI, IDT71V416SA166BQI, IS66WVH16M8AFRALL-166B1LI-TR

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IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页36ns
  • 访问时间36 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)