MB463M-G 时间：2025/9/23 17:48:08 阅读：9

MB463M-G是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽型MOSFET制造工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。MB463M-G封装在小型S-Mini（SMT）封装中，有助于节省PCB空间，同时支持表面贴装技术，便于自动化生产。该MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及便携式电子产品中的电源控制模块。其优化的栅极结构降低了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，MB463M-G符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。器件在设计上注重可靠性，在高温和高电压工作条件下仍能保持稳定性能，是中小功率应用中的理想选择之一。

参数

型号：MB463M-G
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：17A
　　脉冲漏极电流IDM：70A
　　导通电阻RDS(on)：5.7mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：7.0mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅源阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷Qg（典型值）：13nC（@VDS=15V, ID=8.5A）
　　输入电容Ciss：800pF（@VDS=15V）
　　功耗PD：2.5W（TC=25°C）
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini（双引脚表面贴装）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　通道数：单通道
　　反向恢复时间trr：20ns（典型值）
　　二极管正向电压VSD：1.2V（@IS=17A）

特性

MB463M-G具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻RDS(on)显著减少了在高电流条件下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为5.7mΩ，即使在较低的驱动电压4.5V下，也能维持7.0mΩ的低阻值，这使得该器件兼容3.3V和5V逻辑驱动电路，适用于多种控制环境。器件的沟道设计优化了载流子迁移率，增强了电流承载能力，同时减小了芯片尺寸，有利于实现小型化设计。
　　该MOSFET具有良好的热性能，S-Mini封装不仅体积小巧，还具备优异的散热能力，能够在有限的空间内有效传导热量，避免因温升过高导致的性能下降或器件损坏。结合高达150°C的最大结温，MB463M-G可在较宽的温度范围内稳定运行，适用于工业级和消费类应用场景。
　　MB463M-G的栅极电荷Qg仅为13nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，从而降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。低输入电容Ciss（800pF）进一步减少了高频开关时的容性损耗，使其在高频DC-DC转换器中表现出色。此外，其快速的反向恢复时间（trr=20ns）有效抑制了体二极管的反向恢复效应，减少了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰，提升了系统可靠性。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过压耐受性，内部结构经过优化以防止在开关瞬态过程中发生击穿。内置的体二极管能够承受一定的反向电流，适用于需要续流功能的拓扑结构，如同步整流和H桥驱动。整体设计兼顾了电气性能、热管理与封装紧凑性，使MB463M-G成为现代高效电源系统中的可靠选择。

应用

MB463M-G广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其低导通电阻有助于延长电池续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器使用，尤其适用于多相供电架构中的低电压大电流输出场景。
　　此外，MB463M-G适用于电机驱动电路，特别是在微型电机或步进电机的H桥控制中，其快速开关特性和低损耗表现有助于提升控制精度和能效。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电控制开关，实现对电池组的安全隔离与保护。
　　工业控制领域中，该器件可用于继电器替代、固态开关和电源分配单元，提供更长的使用寿命和更高的响应速度。在LED驱动电源中，也可作为恒流调节开关，确保亮度稳定。由于其符合RoHS标准且具备良好的环境适应性，MB463M-G也适用于汽车电子中的非动力域应用，如车载信息娱乐系统电源管理或传感器供电模块。其小型封装特别适合空间受限的高密度PCB布局，是现代电子设计中理想的功率开关解决方案。