时间：2025/7/7 9:11:06
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SH31N100J101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压和高效率应用。该器件具有较低的导通电阻，能够在高频开关条件下提供优异的性能。SH31N100J101CT 通常用于功率转换、电机驱动以及工业电源等场景，其额定电压为 100V，并能承受较高的电流负载。这种 MOSFET 的封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：69nC
总电容：2140pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SH31N100J101CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少传导损耗并提升系统效率。
2. 较小的栅极电荷，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了在异常情况下的耐受性。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 支持高频操作，非常适合现代高效能功率转换应用。
6. 提供出色的热稳定性，能够适应宽泛的工作温度范围。
7. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计和装配流程。
SH31N100J101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动电路，尤其是需要快速切换的应用。
3. 工业设备中的逆变器和转换器。
4. 太阳能逆变器中作为功率开关元件。
5. 电池管理系统中的负载开关。
6. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助电源模块。
7. LED 驱动电路中的高效功率控制。
STP28NF10L
IRFZ44N
FDP150N10SBD
IXFN28N10T
AO4404
