SH31N100J101CT 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压和高效率应用。该器件具有较低的导通电阻,能够在高频开关条件下提供优异的性能。SH31N100J101CT 通常用于功率转换、电机驱动以及工业电源等场景,其额定电压为 100V,并能承受较高的电流负载。这种 MOSFET 的封装形式适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:28A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:69nC
总电容:2140pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
SH31N100J101CT 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可减少传导损耗并提升系统效率。
2. 较小的栅极电荷,有助于提高开关速度,降低开关损耗。
3. 高雪崩能力,增强了在异常情况下的耐受性。
4. 符合 RoHS 标准,环保设计。
5. 支持高频操作,非常适合现代高效能功率转换应用。
6. 提供出色的热稳定性,能够适应宽泛的工作温度范围。
7. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计和装配流程。
SH31N100J101CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电机驱动电路,尤其是需要快速切换的应用。
3. 工业设备中的逆变器和转换器。
4. 太阳能逆变器中作为功率开关元件。
5. 电池管理系统中的负载开关。
6. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助电源模块。
7. LED 驱动电路中的高效功率控制。
STP28NF10L
IRFZ44N
FDP150N10SBD
IXFN28N10T
AO4404