时间：2025/6/17 6:56:28
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IXTY18P10T 是一款由 IXYS 公司生产的功率场效应晶体管（Power MOSFET），属于 Trench MOSFET 技术系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高频开关应用。其封装形式为 TO-220，适合需要高效能和散热良好的场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：1470pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-220
IXTY18P10T 的主要特性包括低导通电阻设计以减少传导损耗，从而提升整体效率。此外，它具备高开关频率性能，能够支持更小的磁性元件设计，降低系统成本。
该器件还拥有坚固的短路耐受能力，在极端条件下仍能保持稳定运行。同时，其优化的热阻设计确保了在高功率应用中的可靠性。
由于采用了 IXYS 的先进 Trench 技术，IXTY18P10T 在动态性能方面表现出色，特别是在快速开关期间维持较低的开关损耗。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源适配器、不间断电源（UPS）、逆变器以及各种工业自动化设备中。得益于其优异的热特性和电气性能，IXTY18P10T 特别适合于要求高效能和高可靠性的场合，例如电动汽车充电桩、太阳能逆变器等新能源领域。
IRF840
STP18NF10
FDP18N10E
