时间：2025/11/13 19:10:28
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KAG00400FM-AJJY是一款由三星（Samsung）推出的嵌入式通用闪存存储（eUFS）解决方案，专为高性能移动设备设计。该芯片属于三星KAG系列UFS 3.1产品线，广泛应用于智能手机、平板电脑及其他需要高速数据读写的便携式电子产品中。作为一款高密度、低功耗的存储器件，KAG00400FM-AJJY集成了NAND闪存与控制器于一体，支持UFS 3.1协议标准，具备命令队列、写入加速、深度睡眠模式等先进功能，能够在保证能效的同时提供卓越的数据传输性能。其封装形式采用BGA（球栅阵列），适用于紧凑型主板布局，符合现代高端移动设备对空间利用率和散热管理的要求。此外，该芯片还具备良好的温度适应性和数据可靠性，支持工业级工作温度范围，并内置ECC（错误校正码）、磨损均衡和坏块管理机制，确保长期稳定运行。KAG00400FM-AJJY通常以不同容量版本出货，本型号标称容量为128GB，满足主流旗舰机型对操作系统存储、应用程序加载及多媒体文件处理的需求。
品牌：Samsung
型号：KAG00400FM-AJJY
产品类型：eUFS 3.1 嵌入式闪存
容量：128GB
接口标准：UFS 3.1 (Universal Flash Storage)
数据读取速度：最高约2100MB/s
数据写入速度：最高约1200MB/s
工作电压：VDD: 2.7V ~ 3.6V, VDDQ: 1.7V ~ 1.95V
工作温度：-25°C 至 +85°C
存储温度：-40°C 至 +125°C
封装类型：BGA 封装
符合RoHS环保标准：是
协议支持：MIPI M-PHY + UniPro
特性支持：Write Booster, Deep Sleep Mode, Host Performance Booster (HPB) Support
KAG00400FM-AJJY搭载了三星先进的UFS 3.1技术架构，具备多项关键特性以提升整体系统性能和用户体验。首先，它支持写入加速（Write Booster）功能，通过启用高性能SLC缓存机制，在短时间内显著提升顺序和随机写入速度，尤其适用于大型应用安装、视频录制或文件批量传输等高负载场景。其次，该芯片集成主机性能增强器（Host Performance Booster, HPB）技术，允许主处理器直接访问UFS内部的逻辑地址映射表，减少因地址转换带来的延迟，从而加快应用启动速度和多任务切换响应。
此外，KAG00400FM-AJJY具备深度睡眠模式（Deep Sleep Mode），在设备待机或休眠状态下可大幅降低功耗，延长电池续航时间，同时保持快速唤醒能力。其内置智能磨损均衡算法与动态坏块管理机制，有效延长闪存寿命并提高数据安全性。得益于先进的3D V-NAND技术，该芯片在有限物理空间内实现了更高的存储密度和更优的读写耐久性。ECC（错误校正码）机制可实时检测并纠正数据错误，保障数据完整性。同时，支持命令队列（Command Queueing）允许多个I/O请求并行处理，优化多线程操作效率，特别适合运行复杂操作系统如Android时的表现需求。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，使其成为高端移动平台的理想选择。
KAG00400FM-AJJY主要应用于对存储性能有较高要求的消费类电子设备中，尤其是中高端智能手机和平板电脑。其高读写带宽能够流畅支持4K/8K视频拍摄与播放、大型3D游戏加载、多图层图像编辑以及AI驱动的应用程序运行。在智能手机领域，该芯片常被用于旗舰机型的操作系统存储单元，承担系统启动、应用安装、用户数据保存等核心任务，显著提升整机响应速度和使用流畅度。此外，也可应用于车载信息娱乐系统（IVI）、工业手持终端及便携式医疗设备等需要高可靠性和快速数据访问的嵌入式系统中。由于其小尺寸BGA封装和良好的热稳定性，非常适合空间受限但性能要求严苛的设计环境。配合UFS 3.1协议的低延迟特性，KAG00400FM-AJJY还能有效支持未来5G网络下的高速数据交换需求，例如云端同步、即时流媒体传输和边缘计算任务处理。随着移动设备对存储IO性能要求的不断提升，该芯片在推动设备智能化、多模态交互体验方面发挥着重要作用。
