时间：2025/6/21 17:32:24
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SH31B331K101CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度之间取得了良好的平衡，从而提升了整体系统效率。
型号：SH31B331K101CT
类型：N-Channel MOSFET
漏源极耐压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：35A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.2V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功耗(PD)：175W
工作温度范围(TJ)：-55℃~175℃
SH31B331K101CT 具有以下主要特点：
1. 采用新一代沟槽式MOSFET技术，显著降低导通电阻，提升效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. ESD保护增强设计，提高了芯片在实际使用中的可靠性。
6. 小型封装设计，节省PCB空间，方便布局与散热管理。
该芯片广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器。
3. 电机驱动控制器。
4. 电池管理系统(BMS)。
5. 太阳能逆变器。
6. 工业自动化控制设备。
IRF3710, FDP5500
