时间：2025/4/29 9:32:27
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SI2312B-TP是Vishay Siliconix推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的PowerPAK? 1212-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度的特性，适合用于各种功率管理应用，例如DC/DC转换器、负载开关、同步整流器等。其设计优化了性能与空间利用率，在高频开关应用中表现尤为突出。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅极源极电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.7A
导通电阻(Rds(on))：9mΩ @ Vgs=4.5V
总栅极电荷(Qg)：6nC
输入电容(Ciss)：130pF
工作温度范围(Top)：-55°C to +150°C
SI2312B-TP具备超低导通电阻，能够显著减少传导损耗，提高效率。
它支持高达4.7A的连续漏极电流，并且拥有快速的开关速度，从而适应高频应用需求。
该器件的封装尺寸小巧，适合空间受限的设计场景。
此外，其逻辑电平驱动特性允许直接由常见的数字信号控制器进行控制，无需额外的驱动电路。
Vishay Siliconix的制造工艺确保了该产品的稳定性和可靠性。
SI2312B-TP适用于多种功率电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 笔记本电脑及平板电脑中的负载开关。
3. 工业设备内的同步整流电路。
4. 消费类电子产品中的电池管理模块。
5. 电信系统中的高效DC/DC转换器。
SI2308DP, SI2309DP
