时间：2025/6/28 11:43:29
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SH31B153K631CT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，通过优化的沟槽结构设计，在高频应用中表现出优异的性能，同时具备良好的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：40nC
输入电容：2200pF
开关速度：100kHz - 1MHz
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
SH31B153K631CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源和其他高频应用。
3. 具备强大的雪崩能力，能够在过载条件下提供额外保护。
4. 热性能优越，能有效管理功率损耗带来的热量。
5. 封装牢固，支持大电流应用，并且便于散热处理。
6. 宽泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
这款MOSFET芯片适用于多种电力电子应用领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器，用于电压调节或隔离功能。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器中的功率级模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 电动车充电器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
STP15NK60Z, IRF840, FQP17N60
