时间：2025/6/23 19:38:13
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FN15X562K250PNG 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率处理的场景。
FN15X562K250PNG 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较高的电流承载能力和耐压性能，能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.25Ω
栅极电荷：35nC
总电容（输入电容）：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
FN15X562K250PNG 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：560V 的漏源电压确保其在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为 0.25Ω，从而减少导通状态下的功耗。
3. 快速开关性能：极低的栅极电荷（35nC）使其非常适合高频应用。
4. 高可靠性：能够在极端温度条件下保持稳定性能。
5. 小尺寸封装：TO-247 封装提供良好的散热性能同时节省空间。
6. 优异的热稳定性：即使在高温环境下也能保证较低的热阻，提升整体效率。
该器件的主要应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或升压电路。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业设备中的电机驱动和控制。
5. 各类高压开关应用，例如 PFC（功率因数校正）电路。
6. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统及充电基础设施。
IRFP250N, STP15NF56W, FQP18N50
