时间：2025/7/2 17:56:03
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SH31B153K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高频开关应用。
该芯片广泛用于电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等场景。其设计旨在降低功耗并提高系统效率，同时支持紧凑型设计以满足现代电子设备的小型化需求。
型号：SH31B153K100CT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (典型值)
总栅极电荷(Qg)：45nC (典型值)
输入电容(Ciss)：2200pF (典型值)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SH31B153K100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
4. 强大的电流承载能力，能够承受高达 15A 的连续漏极电流。
5. 良好的抗电磁干扰能力，有助于减少系统中的噪声问题。
6. 宽泛的工作温度范围，使其能够在极端环境条件下可靠运行。
SH31B153K100CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路，用于控制各类直流电机和步进电机。
3. 逆变器系统中作为主要的功率开关元件。
4. 各种 DC-DC 转换器的设计与实现。
5. UPS（不间断电源）系统的功率级部分。
6. 工业自动化设备中的负载切换与控制功能。
7. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）及牵引逆变器。
IRF840, FQP17N10, STP15NF10
