SH31B153K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽型 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高频开关应用。
该芯片广泛用于电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等场景。其设计旨在降低功耗并提高系统效率,同时支持紧凑型设计以满足现代电子设备的小型化需求。
型号:SH31B153K100CT
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ (典型值)
总栅极电荷(Qg):45nC (典型值)
输入电容(Ciss):2200pF (典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
SH31B153K100CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,从而提高整体系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
4. 强大的电流承载能力,能够承受高达 15A 的连续漏极电流。
5. 良好的抗电磁干扰能力,有助于减少系统中的噪声问题。
6. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端环境条件下可靠运行。
SH31B153K100CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路,用于控制各类直流电机和步进电机。
3. 逆变器系统中作为主要的功率开关元件。
4. 各种 DC-DC 转换器的设计与实现。
5. UPS(不间断电源)系统的功率级部分。
6. 工业自动化设备中的负载切换与控制功能。
7. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)及牵引逆变器。
IRF840, FQP17N10, STP15NF10