时间：2025/8/28 12:58:08
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STFI11N60M2-EP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的M2技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制和电池管理系统等领域。STFI11N60M2-EP 的封装形式为TO-220FP，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：11A
漏源极击穿电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：34nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220FP
STFI11N60M2-EP 采用先进的M2技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高压电源应用。该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高功率密度环境中稳定运行。此外，其低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，提高开关频率。该器件的封装设计优化了散热性能，增强了在高负载条件下的可靠性。STFI11N60M2-EP 还具备较强的抗雪崩能力和过热保护性能，确保在恶劣工作条件下的稳定性和耐用性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V驱动电压，同时也兼容常见的驱动电路设计。其封装形式TO-220FP便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子设备的设计。STFI11N60M2-EP 符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品设计。
STFI11N60M2-EP 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动、照明系统、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其高效率和高可靠性使其成为许多高功率应用的理想选择。
STW11N60M2-EP, STF11N60DM2, STP11NM60ND, FQA11N60C
