型号：LE24L322M-TLM-E
　　制造商：LRC（乐山无线电）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：240A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=30A
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：3300pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：950pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：170pF @ VDS=15V
　　栅极电荷（Qg）：65nC @ VGS=10V
　　二极管正向电流（IS）：60A
　　二极管反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（D-PAK）
　　安装类型：表面贴装

LE24L322M-TLM-E采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了整体电源系统的转换效率。其2.2mΩ的超低RDS(on)值在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适合用于大电流输出的同步整流电路中，能够有效减少发热并提升功率密度。器件的栅极电荷（Qg）仅为65nC，在保证低导通电阻的同时实现了快速开关能力，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关电源设计。其输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）经过优化，可在高频工作条件下保持良好的开关响应和稳定性。
　　该MOSFET具有出色的热性能，TO-252封装提供了良好的散热路径，能够在较高环境温度下稳定运行。其最大工作结温高达+150℃，配合适当的PCB布局和散热设计，可确保长时间高负载下的可靠性。此外，器件的阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），兼容常见的逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或驱动IC直接连接，简化了驱动电路设计。
　　LE24L322M-TLM-E还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），减少了反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统EMI性能。该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在工业级和消费级应用中的长期稳定性。

LE24L322M-TLM-E广泛应用于各类中低压直流电源系统中，特别是在需要高效率和高功率密度的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），用于主板供电、GPU/VGA供电、服务器电源模块等高性能计算平台。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源模块、LED驱动电源以及各类便携式电子设备的电源管理单元。
　　在电机驱动领域，LE24L322M-TLM-E可用于H桥或半桥拓扑结构中的开关元件，驱动小功率直流电机或步进电机，因其低导通电阻和快速开关特性，有助于提高驱动效率并减少发热。在热插拔电路和负载开关应用中，该MOSFET可作为主控开关，实现对负载的软启动和过流保护功能。
　　由于其表面贴装封装形式，LE24L322M-TLM-E非常适合自动化贴片生产，广泛用于通信设备、工业控制板、家电控制板等大批量电子产品中。同时，其高电流承载能力和紧凑封装使其成为替代传统分立器件的理想选择，有助于缩小PCB面积并提升系统集成度。

SI4410DY-T1-GE3
　　IRLHS3442
　　AON6240
　　FDS6680A