时间：2025/7/2 17:53:52
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SH21B223K250CT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用 N 沟道增强型技术，能够实现低导通电阻和快速开关特性，从而提升整体系统性能并降低功耗。
这款芯片由知名半导体厂商提供，其封装形式为 TO-252（DPAK），具有出色的散热性能和机械稳定性，适合工业及消费电子领域中的各种应用场景。
型号：SH21B223K250CT
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：40 mΩ
Id（连续漏极电流）：25A
Qg（总栅极电荷）：15 nC
fsw（最大工作频率）：500 kHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SH21B223K250CT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，得益于优化的栅极电荷设计，使得动态损耗得以最小化。
支持高达 25A 的连续漏极电流。
4. 紧凑且高效的 DPAK 封装形式，提升了散热性能和安装便利性。
5. 宽泛的工作温度范围，能够在极端条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保法规要求。
SH21B223K250CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 各种电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷 驱动器中作为开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 通信电源和汽车电子系统中的高效功率转换解决方案。
由于其卓越的性能表现，该芯片特别适合需要高效率和高可靠性的应用环境。
STP25NF06L
IRFZ44N
FDP5802
AO3400
