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PMEG050T150EIPDZ 发布时间 时间:2025/9/14 4:49:51 查看 阅读:13

PMEG050T150EIPDZ 是由Nexperia(安世半导体)推出的一款高性能、双共阴极肖特基二极管阵列。该器件主要用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的反向电流保护和整流应用。这款肖特基二极管具有低正向压降(VF)和高电流处理能力,有助于提高系统效率并减少功耗。PMEG050T150EIPDZ 采用紧凑的DFN2020D-10封装,符合RoHS标准,并具备良好的热性能和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
  最大正向电流(IF):0.5A(每通道)
  正向压降(VF):最大0.35V @ IF=0.5A(典型值0.3V)
  反向漏电流(IR):最大100nA @ VR=150V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:DFN2020D-10(双通道共阴极)

特性

PMEG050T150EIPDZ 具有多个关键特性,使其在各种电源管理和整流应用中表现出色。首先,其低正向压降(通常为0.3V,最大0.35V)显著降低了导通损耗,从而提高了整体能效。这在电池供电设备或需要高效率的系统中尤为重要。其次,该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,使得设计更加紧凑并减少了PCB空间占用。此外,其最大反向电压为150V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用。PMEG050T150EIPDZ 还具有优异的热性能,DFN2020D-10封装支持良好的散热能力,确保在高电流条件下稳定运行。该器件符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于汽车电子系统中的电源保护和整流应用。其低反向漏电流(最大100nA @ VR=150V)也确保了在高温和高压环境下仍具有良好的稳定性。最后,该器件采用无铅封装,符合RoHS和REACH环保标准,适合绿色电子产品设计。

应用

PMEG050T150EIPDZ 广泛应用于多个领域,包括电源管理电路、DC-DC转换器、电池充电系统、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的整流和反向电流保护。由于其高可靠性和紧凑的封装形式,它特别适用于空间受限且需要高效率的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、穿戴设备等。此外,由于其符合AEC-Q101标准,该器件也广泛用于汽车电子系统,如车载充电器、车身控制模块、LED照明系统和车载信息娱乐系统等。在通信设备中,PMEG050T150EIPDZ 可用于电信电源模块和数据服务器中的电源整流和保护电路。

替代型号

PMEG050T150EPDX; PMEG050T150ELFX; PMEG050T150EHFX; PMEG050T150EJ

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PMEG050T150EIPDZ参数

  • 现有数量1,446现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)1,500 : ¥3.44157卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)50 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)570 mV @ 15 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)49 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 50 V
  • 不同?Vr、F 时电容1.37nF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
  • 供应商器件封装CFP15
  • 工作温度 - 结175°C(最大)