时间：2025/6/26 0:18:49
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SH21B152K101CT是一款由Semiconductor Components Industries生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高频开关应用，如电源适配器、DC-DC转换器和LED驱动器等。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高系统效率并降低能耗。
SH21B152K101CT属于N沟道增强型MOSFET，其高耐压性能使其非常适合在需要承受较高电压的应用场景中使用。此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：3.9Ω
栅极电荷：12nC
输入电容：480pF
总电容：65pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252
SH21B152K101CT具备以下主要特性：
1. 高击穿电压：高达650V，适用于各种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻：典型值为3.9Ω，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关能力：由于其低栅极电荷和优化的内部结构设计，使得开关速度更快。
4. 稳定性强：在不同温度条件下保持一致的性能表现。
5. 小型化封装：采用TO-252封装，节省PCB空间同时便于散热管理。
6. 符合RoHS标准：环保无铅材料确保符合国际环保法规要求。
SH21B152K101CT适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC和DC-DC转换器中的主开关元件。
2. LED照明：用于驱动电路中实现高效调光功能。
3. 消费类电子产品：例如充电器、适配器等小型化产品。
4. 工业控制：电机驱动、逆变器和其他工业自动化设备中的功率级组件。
5. 可再生能源系统：太阳能微逆变器或电池管理系统中的关键元件。
STP14NM60,
IRFBG10N60KD,
FDP75N60E
