时间：2025/7/9 12:49:39
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CBR02C189A8GAC 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高集成度、低导通电阻的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，主要用于开关和功率管理应用。该芯片采用小型化的封装设计，能够在有限的空间内提供高效的功率转换和低功耗特性。其典型应用场景包括负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及便携式电子设备中的功率控制。
型号：CBR02C189A8GAC
品牌：Infineon
类型：双通道 N 沟道增强型 MOSFET
封装：DSO-8
Vds（漏源极耐压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：5.7mΩ @ Vgs=4.5V
Id（持续漏极电流）：6A
栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
最大结温：175°C
输入电容：1030pF
CBR02C189A8GAC 的主要特点是低导通电阻和高效率。其 Rds(on) 仅为 5.7mΩ（在 Vgs=4.5V 时），可显著降低导通损耗，从而提升系统能效。此外，该器件具有快速开关速度，可以减少开关损耗，并支持高频操作。由于采用了 DSO-8 封装，其热性能优越，能够有效散热，适用于紧凑型设计。
另外，CBR02C189A8GAC 集成了两个独立的 MOSFET 通道，方便实现双路输出控制或桥式配置，减少了外部元件数量，简化了 PCB 布局。同时，它具备出色的抗 ESD 性能和良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
CBR02C189A8GAC 广泛应用于需要高效功率转换和紧凑设计的场景中，例如：
1. 移动设备的电源管理系统，如智能手机和平板电脑。
2. 笔记本电脑和其他便携式电子产品的电池保护电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电机驱动。
4. DC-DC 转换器及电压调节模块。
5. 固态继电器和信号隔离电路。
6. 其他需要双通道功率控制的应用领域。
CBR02C189A8GAT, CBR02C189A8GAN
