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HSMS-282F-BLKG 发布时间 时间:2025/9/15 17:25:33 查看 阅读:19

HSMS-282F-BLKG 是安华高科技(Avago Technologies)推出的一款通用射频(RF)肖特基二极管。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有低正向电压降和快速恢复时间,适用于高频信号检测、混频、开关和整流等应用。该器件采用SOT-23封装,便于表面贴装,适合用于通信系统、测试设备和工业控制系统。

参数

工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大正向电流:100 mA
  峰值反向电压:50 V
  正向电压(@10 mA):典型值 0.32 V
  反向漏电流(@25°C):最大值 50 nA
  结电容(@0V):约 0.4 pF
  封装类型:SOT-23

特性

HSMS-282F-BLKG 是一款高性能肖特基二极管,具备低正向电压和快速恢复时间的特性,使其在高频应用中表现出色。该器件的GaAs结构提供了优异的高频响应能力,可在高达10 GHz的频率下稳定工作。此外,其低结电容(约0.4 pF)有助于减少信号失真,提高系统性能。
  该二极管具有良好的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行,适用于恶劣环境条件下的应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还简化了PCB布局和自动化装配过程,提高了生产效率。
  HSMS-282F-BLKG 的低漏电流特性(最大50 nA)确保在高阻抗电路中保持良好的信号完整性,同时降低功耗。它广泛用于无线通信、微波检测、功率监测和RF混频器等场合。

应用

HSMS-282F-BLKG 主要用于需要高性能肖特基二极管的射频和微波电路中。典型应用包括RF信号检测、功率测量、混频器设计、高频整流以及无线通信系统中的本地振荡器(LO)路径控制。此外,该器件也适用于测试仪器、工业控制系统和便携式电子设备中的射频信号处理模块。

替代型号

HSMS-285C, HSMS-2852, HSMS-286B, BAT14-099

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HSMS-282F-BLKG参数

  • 数据列表HSMS-282x
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大)15V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装散装