时间：2025/5/21 20:09:12
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SI2312BDS-T1 是一款来自 Vishay 的 N 沣道 FET（场效应晶体管），采用微型 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种便携式电子设备中的高效功率转换应用。由于其小尺寸和高性能，SI2312BDS-T1 在空间受限的设计中特别受欢迎。
该产品主要面向消费类电子、通信设备及工业控制等领域的应用，支持高频率工作环境。
型号：SI2312BDS-T1
类型：N 沖道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：55 mΩ
Id（连续漏极电流）：2.86A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.2V
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
Qg（总栅极电荷量）：4.5 nC
SI2312BDS-T1 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，使得它适合高频功率转换应用。
3. 微型 SOT-23 封装设计，节省 PCB 空间，并简化了布局设计。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在极端环境下也能稳定运行。
5. 较低的栅极电荷（Qg），可以减少驱动损耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
SI2312BDS-T1 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
2. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 便携式电子产品中的保护电路。
5. 电机驱动和 LED 驱动中的功率开关元件。
6. 各种工业控制和通信接口中的信号切换。
7. 消费类电子产品中的小型化解决方案。
SI2302DS, SI2309DS, BSS138
