IRF7210TR 时间：2025/4/29 16:13:21 阅读：2

IRF7210TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高效率，适用于多种高频开关应用。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），能够承受较高的电流和电压，同时具备出色的热性能。
　　这款 MOSFET 专为需要高效能和低损耗的应用设计，例如 DC-DC 转换器、同步整流电路以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：94A
　　导通电阻（典型值）：1.5mΩ
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263-3（D2PAK）

特性

IRF7210TR 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低传导损耗。
　　2. 高效率设计，适合高频开关应用。
　　3. 热性能优越，能够在高温环境下稳定运行。
　　4. 具备较低的栅极电荷和反向恢复时间，从而减少开关损耗。
　　5. 强大的电流承载能力，满足大功率应用需求。
　　6. 宽泛的工作结温范围，确保在极端温度条件下的可靠性。

应用

IRF7210TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 工业电源和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　2. 同步整流电路，提升系统效率。
　　3. 电机驱动和控制，特别是在高性能伺服系统中。
　　4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
　　5. 高效逆变器和 UPS 系统中的关键元件。
　　6. 电动车及充电基础设施中的功率管理部分。