IS43DR16640B-25DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速低功耗DDR3L SDRAM芯片,广泛应用于嵌入式系统、消费电子和通信设备中。该芯片具有高容量和高性能的特点,支持多种接口速率和数据宽度配置,适合需要大内存带宽的应用场景。
这款芯片采用先进的制程工艺制造,具备出色的可靠性和稳定性。它支持JEDEC标准的DDR3L规范,能够在较低的工作电压下运行,从而降低整体功耗。
类型:SDRAM
存储容量:16Gb (2G x 8)
接口类型:DDR3L
工作电压:1.35V
数据速率:最高可达2500Mbps
封装形式:FBGA
引脚数:96-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:10mm x 10mm
刷新模式:自刷新和自动刷新
IS43DR16640B-25DBLI采用了DDR3L技术,支持在1.35V低电压下运行,同时保持与标准DDR3相同的性能表现。其主要特性包括:
1. 支持2500Mbps的数据传输速率,满足高性能应用需求。
2. 内置ECC功能,可以检测并纠正单比特错误,提升数据可靠性。
3. 提供多种省电模式,例如深度掉电模式(Deep Power Down),进一步降低待机功耗。
4. 支持突发长度为4或8,提供灵活的数据访问方式。
5. 兼容JEDEC DDR3L标准,便于设计和集成。
6. 工作温度范围广,适用于工业级和商业级环境。
IS43DR16640B-25DBLI适用于对内存容量和性能要求较高的场景,典型应用包括:
1. 嵌入式处理器平台中的外部存储扩展。
2. 高清视频处理和图像渲染设备。
3. 网络通信设备,如路由器、交换机和网关。
4. 消费机和智能音响。
5. 工业控制和医疗设备中的数据缓冲和处理。
6. 物联网(IoT)网关和边缘计算设备。
IS43TR16640B-25TLI
IS43TR16640B-25DMLI
IS43DR16640B-25TLI