2SAR514P5 时间：2025/11/7 22:46:15 阅读：7

2SAR514P5是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关以及各种便携式电子产品中的电源控制。其封装形式为SOP-8（表面贴装小型封装），有助于减小PCB布局面积并提高组装密度。2SAR514P5在设计上优化了雪崩耐量和抗静电能力，提升了系统可靠性。此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够直接由3.3V或5V微控制器输出信号驱动，无需额外的栅极驱动电路，简化了整体设计复杂度。

参数

型号：2SAR514P5
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　连续漏极电流(ID)：-6.5A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-20A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-4.5V：22mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-2.5V：30mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=-1.8V：45mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容(Ciss)：900pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

2SAR514P5具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与逻辑电平兼容性的结合。该器件在VGS=-4.5V时RDS(on)仅为22mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出色，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。更重要的是，它在低至-1.8V的栅源电压下仍能实现有效导通（RDS(on)≤45mΩ），使其非常适合用于由低压微处理器或逻辑门直接驱动的应用场景，避免了使用电平转换器或专用驱动IC的需要，从而降低了系统成本和复杂性。
　　该MOSFET采用ROHM成熟的沟槽栅结构工艺，不仅提升了单位面积下的电流承载能力，还改善了开关瞬态响应特性，减少了开关过程中的能量损耗。同时，内部寄生二极管具有较短的反向恢复时间（trr=15ns），可有效抑制在感性负载切换或同步整流过程中产生的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险，并提升系统整体稳定性。
　　从可靠性角度看，2SAR514P5经过严格的质量测试，具备高达150°C的最大结温，可在高温环境下稳定运行。其ESD防护能力较强，HBM模型下可达±2000V，增强了器件在生产和使用过程中的抗静电损伤能力。此外，SOP-8封装不仅便于自动化贴片生产，而且具备良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效将热量传导至板面，进一步提升功率处理能力。

应用

2SAR514P5广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。典型用途包括作为高端开关用于电池供电设备的电源通断控制，例如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中的负载开关或热插拔保护电路。由于其P沟道特性，常被用于简单的高边开关配置，无需复杂的自举电路即可实现对负载的直接控制，特别适合输入电压不超过20V的直流系统。
　　在DC-DC降压转换器中，2SAR514P5可用于非同步整流拓扑的主开关管，或在特定设计中作为同步整流管的互补器件。其快速开关特性和低导通电阻有助于提升转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现良好。此外，该器件也适用于过压/欠压保护电路、电源多路复用器、电机驱动模块中的级联控制开关，以及各类工业控制和消费类电子产品的电源管理单元。
　　得益于其表面贴装封装和高集成度特点，2SAR514P5也非常适合空间受限的紧凑型设计，如可穿戴设备、物联网终端节点和便携式医疗仪器等。工程师可以利用其稳定的性能和成熟的供应链保障产品的一致性与长期可用性。