时间：2025/9/14 15:46:28
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BUK7E13-60E,127 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于各种工业和汽车电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：13A
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.045Ω
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7E13-60E,127 具有多个高性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下稳定工作。其高耐压能力（60V）使其适用于多种中高功率应用。TO-220AB封装提供良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性。器件的热稳定性良好，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其栅极结构设计优化，降低了开关损耗并提高了抗干扰能力。
BUK7E13-60E,127 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统等。它在开关电源（SMPS）、负载开关、逆变器和整流器等电路中表现出色。
BUK7K13-60E,127; FDPF13N60FS; IRFZ44N; STP12NM60N
