时间：2025/7/12 4:00:17
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SH18B681K250CT 是一款高性能的 N 沯道 MOSFET 功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
SH18B681K250CT 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）生产，能够有效降低 PCB 占用空间并提升散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：1300pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 优异的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 小型化封装设计，便于 PCB 布局优化。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. LED 驱动器中的功率调节元件。
IRFZ44N, FDP15U20AB, AO3400
